g22恒峰官方【专利摘要】一种抑制p型PERC太阳电池光致衰减的方法，其特征是在PERC太阳电池的p型硅片与氧化铝钝化层之间插入一层重掺杂p型晶体硅层。本发明可有效抑制p型PERC电池的光致衰减并且因场钝化的作用而提升太阳电池的转换效率，所提技术路线与现有产线的兼容性好。

　　[0002]P型PERC(passivated emitter and rear contacts，PERC)太阳电池的光致衰减大成为了目前限制其推广应用的瓶颈所在，其衰减远远大于P型全铝背场晶硅太阳电池。发明一种能有效抑制其光致衰减的方法成为了目前PERC电池性能提升的关键。目前较为有效的方法有:从原材料的角度，将硅片中的掺杂元素由硼改为镓，可完全消除光致衰减;从制造技术的角度，在太阳电池片制造完成或者中间过程中进行热处理或光热处理，可部分抑制光致衰减。但种种技术都因成本、技术难度等原因无法推广实施。

　　[0010]进一步，所述的扩散法，在选择用硼作为掺杂元素时，具体包括溴化硼液态源扩散法、氧化硼固态源扩散法或低温气相沉积法制备的掺硼氧化硅作为固态源的扩散法，优选低温气相沉积法制备的掺硼氧化物作为固态源扩散法。

　　[0047](8)硅片正面栅线)栅线]本技术路线只需在现行P型PERC电池制造中增加步骤(4)，该步骤由三小步构成，虽然比前两个实施例复杂些，但离子注入技术对掺杂控制的精确性高很多，可得到更好性能太阳电池。该技术路线与现行产线的兼容性也很好。

　　1.一种抑制P型PERC太阳电池光致衰减的方法，其特征是在PERC太阳电池的P型硅片与氧化铝钝化层之间插入一层重掺杂P型晶体硅层。2.根据权利要求1所述的抑制P型PERC太阳电池光致衰减的方法，其特征是所述的重掺杂P型晶体硅层的厚度为5-500纳米。3.根据权利要求1所述的抑制P型PERC太阳电池光致衰减的方法，其特征是所述的重掺杂P型晶体硅层掺杂元素的分布为从硅片表面向硅片内部逐步减少的梯度分布。4.根据权利要求1所述的抑制P型PERC太阳电池光致衰减的方法，其特征是所述的重掺杂P型晶体硅层由扩散法、外延法或离子注入法制备。5.根据权利要求1所述的抑制P型PERC太阳电池光致衰减的方法，其特征是所述重掺杂P型晶体硅层的掺杂元素为硼、镓或铝。6.根据权利要求4所述的抑制P型PERC太阳电池光致衰减的方法，其特征是所述的扩散法，在选择用硼作为掺杂元素时，为溴化硼液态源扩散法、氧化硼固态源扩散法或低温气相沉积法制备的掺硼氧化硅作为固态源的扩散法。

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