本发明公开了一种PERC双面电池及其制作方法，所涉及的PERC包括硅片、形成于硅片背面的钝化层、设置于硅片背面的背电场及背电极，背电场包括若干平行间隔设置于硅片背面的第一副栅，第一副栅呈断续状设置且沿双面perc电池厚度方向穿透钝化层以与硅片背面形成电性连接；背电极包括若干设置于钝化层背面与第一副栅一一对应设置的第二副栅以及与第二副栅垂直连接的主栅，第二副栅的电阻率小于第一副栅的电阻率，第二副栅与相应第一副栅的背面相连以串接相应第一副栅若干间隔设置的部分；本发明所提供的PERC双面电池可有效降低

　　(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112993072 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 6.7 (22)申请日 2019.12.12 (71)申请人 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 地址 215000 江苏省苏州市高新区鹿山路 199号 申请人 阿特斯阳光电力集团股份有限公司 (72)发明人 李兵刘运宇邓伟伟蒋方丹 (74)专利代理机构 苏州威世朋知识产权代理事 务所(普通合伙) 32235 代理人 张炜平 (51)Int.Cl. H01L 31/05 (2014.01) H01L 31/068 (2012.01) H01L 31/18 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图5页 (54)发明名称 PERC双面电池及其制作方法 (57)摘要 本发明公开了一种PERC双面电池及其制作 方法，所涉及的PERC包括硅片、形成于硅片背面 的钝化层、设置于硅片背面的背电场及背电极， 背电场包括若干平行间隔设置于硅片背面的第 一副栅，第一副栅呈断续状设置且沿双面perc电 池厚度方向穿透钝化层以与硅片背面形成电性 连接；背电极包括若干设置于钝化层背面与第一 副栅一一对应设置的第二副栅以及与第二副栅 垂直连接的主栅，第二副栅的电阻率小于第一副 栅的电阻率，第二副栅与相应第一副栅的背面相 连以串接相应第一副栅若干间隔设置的部分；本 发明所提供的PERC双面电池可有效降低电池背 A 面的少子复合，而且在具体光伏组件的应用场景 2 中具有较小的串联电阻，能可靠的提高相应光伏 7 0 3 组件的光电转化效率。 9 9 2 1 1 N C CN 112993072 A 权利要求书 1/2页 1.一种PERC双面电池，包括硅片以及形成于所述硅片背面的钝化层，其特征在于，所述 PERC双面电池还包括设置于所述硅片背面的背电场及背电极，所述背电场包括若干平行间 隔设置于所述硅片背面的第一副栅，所述第一副栅呈断续状设置且沿所述双面perc电池厚 度方向穿透所述钝化层以与所述硅片背面形成电性连接；所述背电极包括若干设置于所述 钝化层背面与所述第一副栅一一对应设置的第二副栅以及与所述第二副栅垂直连接的主 栅，所述第二副栅的电阻率小于所述第一副栅的电阻率，所述第二副栅与相应所述第一副 栅的背面相连以串接相应所述第一副栅若干间隔设置的部分。 2.根据权利要求1所述的PERC双面电池，其特征在于，所述第一副栅在垂直于其长度方 向上的最大宽度大于所述第二副栅的宽度。 3.根据权利要求2所述的PERC双面电池，其特征在于，所述第一副栅在垂直于其长度方 向上的最大宽度范围为40μm-200μm，所述第二副栅的宽度范围为20μm-100μm。 4.根据权利要求1所述的PERC双面电池，其特征在于，所述背电极还包括若干沿所述主 栅长度方向间隔设置且连接至所述主栅的焊盘。 5.根据权利要求4所述的PERC双面电池，其特征在于，所述背电场于所述焊盘所在区域 留设有空白区。 6.根据权利要求1-5任意一项所述的PERC双面电池，其特征在于，相邻两所述第一副栅 若干间断设置的部分在所述第一副栅的长度方向上呈错位分布。 7.根据权利要求1-5任意一项所述的PERC双面电池，其特征在于，所述第一副栅由若干 间隔设置的圆点部构成，所述圆点部的直径范围为40μm-200μm。 8.根据权利要求7所述的PERC双面电池，其特征在于，每一所述第一副栅相邻两所述圆 点部中心间距范围为20μm-2000μm。 9.根据权利要求6所述的PERC双面电池，其特征在于，每一所述第一副栅上的若干所述 圆点部呈等间距分布，且相邻两所述第一副栅中的一条上具有一个圆点部与另一条上相邻 两个圆点部的中心点连线任意一项所述的PERC双面电池，其特征在于，所述第一副栅由若 干间隔设置且长度方向与所述第一副栅长度方向一致的长条部构成，所述长条部的长度范 围为40μm-10000μm，宽度范围为40μm-200μm，同一所述第一副栅上相邻两所述长条部之间 的距离范围为20μm-10000μm。 11.根据权利要求1-5任意一项所述的PERC双面电池，其特征在于，所述硅片背面开设 有贯穿所述钝化层以供设置所述第一副栅的凹槽。 12.一种PERC双面电池的制作方法，其特征在于，用于制作权利要求1-10任意一项所述 的PERC双面电池，包括以下步骤： 提供背面设置有钝化层的硅片； 在所述硅片背面印刷第一导电浆料； 在印刷有所述第一导电浆料的硅片背面印刷第二导电浆料； 烧结背面印刷有所述第一导电浆料与所述第二导电浆料的硅片，其中，印刷至所述硅 片背面的所述第一导电浆料烧结形成所述背电场，印刷至所述硅片背面的所述第二导电浆 料烧结形成所述背电极。 13.根据权利要求12所述的PERC双面电池的制作方法，其特征在于，所述第一导电浆料 2 2 CN 112993072 A 权利要求书 2/2页 为非烧穿型导电浆料，所述制作方法在印刷所述第一导电浆料之前还包括在所述硅片背面 开设贯穿所述钝化层且与所述第一副栅所在位置相匹配的凹槽。 14.根据权利要求12所述的PERC双面电池的制作方法，其特征在于，所述第一导电浆料 为烧穿型导电浆料，所述述钝化层布满所述硅片的背面。 15.根据权利要求12-14任意一项所述的PERC双面电池的制作方法，其特征在于，所述 第二导电浆料为非烧穿型导电浆料。 3 3 CN 112993072 A 说明书 1/6页 PERC双面电池及其制作方法 技术领域 [0001] 本发明涉及太阳能光伏技术领域，尤其涉及一种PERC双面电池及其制作方法。 背景技术 [0002] 双面perc电池是一种正面和反面都可以接受光照而产生电流的光伏器件。采用双 面perc电池制作的双面组件，由于背面也可以发电，相比单面电池组件，其总发电量可以得 到大幅度的增益。双面perc电池的背面是通过铝线收集电流，进而将收集的电流传输至背 电极；然在现有技术中，由于铝线具有较高的电阻率，为避免影响电池片的串联电阻，铝线 通常需要设置有较大的宽度。该较大的铝线宽度在极大程度上减小了电池片背面的有效受 光面积，进而影响电池效率及双面组件的双面率。 [0003] 有鉴于此，有必要提供一种能够解决以上技术问题的技术方案。 发明内容 [0004] 本发明旨在至少解决现有技术存在的技术问题之一，为实现上述发明目的，本发 明提供了一种双面perc电池，其具体设计方式如下。 [0005] 一种PERC双面电池，包括硅片以及形成于所述硅片背面的钝化层，所述PERC双面 电池还包括设置于所述硅片背面的背电场及背电极，所述背电场包括若干平行间隔设置于 所述硅片背面的第一副栅，所述第一副栅呈断续状设置且沿所述双面perc电池厚度方向穿 透所述钝化层以与所述硅片背面形成电性连接；所述背电极包括若干设置于所述钝化层背 面与所述第一副栅一一对应设置的第二副栅以及与所述第二副栅垂直连接的主栅，所述第 二副栅的电阻率小于所述第一副栅的电阻率，所述第二副栅与相应所述第一副栅的背面相 连以串接相应所述第一副栅若干间隔设置的部分。 [0006] 进一步，所述第一副栅在垂直于其长度方向上的最大宽度大于所述第二副栅的宽 度。 [0007] 进一步，所述第一副栅在垂直于其长度方向上的最大宽度范围为40μm-200μm，所 述第二副栅的宽度范围为20μm-100μm。 [0008] 进一步，所述背电极还包括若干沿所述主栅长度方向间隔设置且连接至所述主栅 的焊盘。 [0009] 进一步，所述背电场于所述焊盘所在区域留设有空白区。 [0010] 进一步，相邻两所述第一副栅若干间断设置的部分在所述第一副栅的长度方向上 呈错位分布。 [0011] 进一步，所述第一副栅由若干间隔设置的圆点部构成，所述圆点部的直径范围为 40μm-200μm。 [0012] 进一步，每一所述第一副栅相邻两所述圆点部中心间距范围为20μm-2000μm。 [0013] 进一步，每一所述第一副栅上的若干所述圆点部呈等间距分布，且相邻两所述第 一副栅中的一条上具有一个圆点部与另一条上相邻两个圆点部的中心点连线] 进一步，所述第一副栅由若干间隔设置且长度方向与所述第一副栅长度方向一致 的长条部构成，所述长条部的长度范围为40μm-10000μm，宽度范围为40μm-200μm，同一所述 第一副栅上相邻两所述长条部之间的距离范围为20μm-10000μm。 [0015] 进一步，所述硅片背面开设有贯穿所述钝化层以供设置所述第一副栅的凹槽。 [0016] 本发明还提供了一种PERC双面电池的制作方法，用于制作以上所述的PERC双面电 池，包括以下步骤： [0017] 提供背面设置有钝化层的硅片； [0018] 在所述硅片背面印刷第一导电浆料； [0019] 在印刷有所述第一导电浆料的硅片背面印刷第二导电浆料； [0020] 烧结背面印刷有所述第一导电浆料与所述第二导电浆料的硅片，其中，印刷至所 述硅片背面的所述第一导电浆料烧结形成所述背电场，印刷至所述硅片背面的所述第二导 电浆料烧结形成所述背电极。 [0021] 进一步，所述第一导电浆料为非烧穿型导电浆料，所述制作方法在印刷所述第一 导电浆料之前还包括在所述硅片背面开设贯穿所述钝化层且与所述第一副栅所在位置相 匹配的凹槽。 [0022] 进一步，所述第一导电浆料为烧穿型导电浆料，所述述钝化层布满所述硅片的背 面。 [0023] 进一步，所述第二导电浆料为非烧穿型导电浆料。 [0024] 本发明的有益效果：本发明所提供PERC双面电池的背面通过采用断续状的第一副 栅与硅片背面进行电性连接，可有效降低电池背面的少子复合；继而由于第二副栅的电阻 率小于的第一副栅的电阻率，可以使得PERC双面电池在具体光伏组件的应用场景中具有较 小的串联电阻，进而能可靠的提高相应光伏组件的光电转化效率。 附图说明 [0025] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据 提供的附图获得其他的附图。 [0026] 图1所示为本发明双面perc电池背电场的设置示意图； [0027] 图2所示为图1中a部分的放大示意图； [0028] 图3所示为本发明双面perc电池背面形成有背电极的结构示意图； [0029] 图4所示为图3中b部分的放大示意图； [0030] 图5所示为图4中A-A＇位置处的截面示意图； [0031] 图6所示为图1中a部分的另一种放大示意图； [0032] 图7所示为图3中b部分的另一种放大示意图； [0033] 图8所示为图7中B-B＇位置处的截面示意图； [0034] 图9所示为图7中C-C＇位置处的截面示意图； [0035] 图10所示为本发明双面perc电池背电场的另一种设置示意图。 5 5 CN 112993072 A 说明书 3/6页 [0036] 图中，11为硅片，110为钝化层，12为第一副栅，120为空白区，121为圆点部，1211为 第一圆点部，1212为第二圆点部，1213为第三圆点部，13为背电极，130为焊盘，131为第二副 栅，132为主栅。 具体实施方式 [0037] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本发明保护的范围。 [0038] 结合图1、图2、图3、图4、图5所示，本发明所提供的双面perc电池包括硅片11以及 形成于硅片11背面的钝化层110，双面perc电池还包括设置于硅片背面的背电场及背电极 13。 [0039] 参考图1所示，背电场包括若干平行间隔设置于硅片11背面的第一副栅12，进一步 结合图4、图5或图7、图8所示，第一副栅12呈断续状设置且沿双面perc电池厚度方向穿透钝 化层110以与硅片11背面形成电性连接。 [0040] 结合图4、图5或图7、图8所示，背电极13包括若干设置于钝化层110背面与第一副 栅12一一对应设置的第二副栅131以及与第二副栅131垂直连接的主栅132，其中，第二副栅 131的电阻率小于第一副栅12的电阻率，第二副栅131与相应第一副栅12的背面相连以串接 相应第一副栅12若干间隔设置的部分。 [0041] 在一些实施例中，背电场具体设置为铝背场，背电极13可具体设置为银电极、银铝 电极、铜电极及银铜电极中的一种。 [0042] 本发明还提供了一种具有以上所涉及双面perc电池的光伏组件。 [0043] 在具体实施过程中，本发明所提供PERC双面电池的背面通过采用断续状的第一副 栅12与硅片11背面进行电性连接，可有效降低电池背面的少子复合。此外，由于第二副栅 131的电阻率小于的第一副栅12的电阻率，在第一副栅12为铝栅、第二副栅131为银栅的具 体应用场景中，双面perc电池背面采用第一副栅12与第二副栅131配合收集电流的方式相 对传统用于双面perc电池背面采用铝线电流收集的方式具有较小的串联电阻，进而能可靠 的提高相应光伏组件的光电转化效率。 [0044] 作为本发明的优选实施方式，在具体实施过程中，第一副栅12在垂直于其长度方 向上的最大宽度大于第二副栅131的宽度。参考图4、图7中所示，即第二副栅131相对第一副 栅12具有更窄的宽度，如此相对现有技术可降低电池背面的遮光面积，进而使得相应光伏 组件具有较高的双面率。 [0045] 参考图3所示，本发明所涉及的背电极13还包括若干沿主栅132长度方向间隔设置 且连接至主栅132的焊盘130。 [0046] 本发明中所涉及的双面perc电池还可以是半片电池，参考图3所示，该实施例中所 涉及的整片双面perc电池可沿中间分割线O-O＇分割成两个半片双面perc电池，在该半片双 面perc电池中，靠近主栅132端部区域的焊盘130面积大于远离主栅132端部区域的焊盘130 面积。如此，在光伏组件的焊接组装过程中，可以有效降低焊带与主栅132之间因位置偏移 带来焊接偏差的概率。 6 6 CN 112993072 A 说明书 4/6页 [0047] 作为本发明的一种优选实施方式，结合图3、图10所示，本实施例中所涉及的背电 场于焊盘130所在区域留设有空白区121。即第一副栅12未延伸至焊盘130所在区域，如此可 以使得形成于该区域的焊盘130更为平整，进而可提高光伏组件中焊带与焊盘130之间的焊 接强度。 [0048] 在本发明的一些优选实施方式中，结合结合图2、图6所示，相邻两第一副栅12若干 间断设置的部分在第一副栅12的长度方向上呈错位分布。 [0049] 更为具体的，参考图2、图4、图5所示，在该实施例中，第一副栅12由若干间隔设置 的圆点121部构成，其中，圆点部121的直径r范围为40μm-200μm。此时，第一副栅12在垂直于 其长度方向上的最大宽度即与圆点部121的直径r一致。 [0050] 进一步，本实施例中每一第一副栅12相邻两圆点部121的中心间距范围为20μm- 2000μm。参考图2中所示，一条第一副栅12上相邻的两圆点部121包括第一圆点部1211与第 二圆点部1212，其中，第一圆点部1211与第二圆点部1212的中心间距范围即为20μm-2000μ m。 [0051] 作为本实施例的一种优选实施结构，每一第一副栅12上的若干圆点部121呈等间 距分布，且相邻两第一副栅12中的一条上具有一个圆点部121与另一条上相邻两个圆点部 121的中心点连线构成等边三角形。具体参考图2所示，相邻两第一副栅12中的一条具有相 邻的第一圆点部1211与第二圆点部1212，另一条具有第三圆点部1213，第一圆点部1211、第 二圆点部1212与第三圆点部1213的中心点连线构成等边三角形。基于此，PERC双面电池工 作时，硅片11背面的电流具有更优的传输路径。 [0052] 在本发明的另一实施例中，参考图6、图7、图8、图9所示，第一副栅12由若干间隔设 置且长度方向与第一副栅12长度方向一致的长条部122构成，长条部122的长度L范围为40μ m-10000μm，宽度d范围为40μm-200μm，同一第一副栅12上相邻两长条部122之间的距离L＇范 围为20μm-10000μm。此时，第一副栅12在垂直于其长度方向上的最大宽度即与长条部122的 宽度d一致。 [0053] 在以上实施例中，第一副栅12在垂直于其长度方向上的最大宽度范围均为40μm- 200μm，相应的，本发明中所涉及的第二副栅131的宽度D范围为20μm-100μm，优选的，第二副 栅131的宽度D范围为30μm-50μm。 [0054] 可以理解，在本发明的具体实施过程中，第一副栅12沿双面perc电池厚度方向穿 透钝化层110以与硅片11背面形成电性连接的实现方式可通过以下两种实施方式来实现。 [0055] 一种是实施方式为，用于背电场印刷的导电浆料采用非烧穿型浆料，此时参考图5 中所示，硅片11背面开设有贯穿钝化层110以设置第一副栅12的凹槽(图中未标示)。通常， 非烧穿型浆料印刷时完全填充凹槽并具有一部分延伸超出凹槽边缘。 [0056] 另一种实施方式为，钝化层110布满硅片11的整个背面，而用于背电场印刷的导电 浆料采用烧穿型浆料，如此，在双面perc电池的后续烧结过程中，该烧穿型浆料会与钝化层 110反应进而穿透钝化层110以形成与硅片11背面电性连接的第一副栅12。 [0057] 为更好的理解本发明，本发明还提供了一种PERC双面电池的制作方法，其用于制 作以上的PERC双面电池，包括以下步骤：提供背面设置有钝化层的硅片11；在硅片11背面印 刷第一导电浆料；在印刷有第一导电浆料的硅片11背面印刷第二导电浆料；烧结背面印刷 有第一导电浆料与第二导电浆料的硅片，其中，印刷至硅片11背面的第一导电浆料烧结形 7 7 CN 112993072 A 说明书 5/6页 成背电场，印刷至硅片11背面的第二导电浆料烧结形成背电极13。 [0058] 更为具体的一实施例中，PERC双面电池的具体制作步骤包括： [0059] 制绒：对电阻率0.5～3.0Ω ·cm的P型硅片进行碱制绒，形成金字塔尺寸1～3μm的 绒面。 [0060] 扩散：在扩散温度750～950℃条件下，采用POCl3气态源对硅片进行扩散掺杂形成 正面发射极，扩散掺杂区的方阻范围为110～160Ω/sq。 [0061] 重掺杂：通过激光在硅片正面形成局部重掺区，重掺区的方阻范围为50～90Ω/ sq。 [0062] 刻蚀：利用HF/HNO3混合液去除背面的绕扩区域以及边结。 [0063] 正面钝化：通过热氧化方式在正面生长2～6nm氧化硅。 [0064] 背面钝化：利用ALD方式沉积背面钝化层，沉积温度180～280℃，该钝化层为 Al2O3，氧化铝厚度5～20nm； [0065] 形成减反射膜：利用PECVD在硅片正背面沉积减反膜，该减反膜可以是氮化硅叠层 膜，正背面减反层厚度60～90nm，沉积温度300～550℃。 [0066] 激光开槽：利用激光在硅片背面形成若干贯穿背面钝化层的凹槽，结合图4、图5所 示，所开设凹槽的位置与第一副栅12的位置相匹配，在图4、图5所示实施例中，激光开设的 凹槽直径范围30～40μm。 [0067] 背电场印刷：采用第一网版在硅片背面按背电场的图案印刷第一导电浆料，在本 实施例中，第一导电浆料为非烧穿型导电浆料，具体为非烧穿型铝浆，第一导电浆料印刷完 成后进行烘干操作。 [0068] 背电极印刷：采用第二网版在硅片背面按背电极的图案印刷第二导电浆料，在本 实施例中，第二导电浆料为非烧穿型导电浆料，具体为非烧穿型银浆，第二导电浆料印刷完 成后进行烘干操作；可以理解，第二导电浆料也可以是银铝浆、铜浆或银包铜浆等导电浆 料。 [0069] 正电极印刷：采用第三网版在硅片正面按正电极的图案印刷第三导电浆料，在本 实施例中，第三导电浆料为烧穿型导电浆料，具体为烧穿型银浆，第三导电浆料印刷完成后 进行烘干操作。 [0070] 烧结：在烧结峰值温度650～850℃的环境下对印刷有第一导电浆料、第二导电浆 料、第三导电浆料的硅片进行烧结，以形成PERC双面电池。 [0071] 退火：对烧结后的PERC双面电池进行电注入退火处理。 [0072] 在本发明的另一实施例中，PERC双面电池的具体制作方法相对以上实施例具有以 下区别，其在“形成减反射膜”步骤之后不包括“激光开槽步骤”，具体而言，其去除“激光开 槽步骤”之后将“背电场印刷步骤”修改为： [0073] 背电场印刷：采用第一网版在硅片背面按背电场的图案印刷第一导电浆料，在本 实施例中，第一导电浆料为烧穿型导电浆料，具体为烧穿型铝浆，第一导电浆料印刷完成后 进行烘干操作。结合图8、图9所示，由于第一导电浆料为烧穿型导电浆料，在后续烧结步骤 中，第一导电浆料会与与钝化层110反应进而穿透钝化层110以形成与硅片11背面电性连接 的第一副栅12。 [0074] 此外，可以理解，本发明中所涉及的双面perc电池在具体制作过程中，背电场与背 8 8 CN 112993072 A 说明书 6/6页 电极13分别采用不同的印刷网版进行相应导电浆料的印刷，为避免背电场的第一副栅12与 背电极13的第二副栅131之间出现位置偏差，第一印刷网版与第二印刷网版上均设置有定 位图案，具体在此不作进一步展开。 [0075] 应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一 个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说 明书作为一个整体，各实施方式中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可 以理解的其他实施方式。 [0076] 上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本发明的可行性实施方式的具体说 明，它们并非用以限制本发明的保护范围，凡未脱离本发明技艺精神所作的等效实施方式 或变更均应包含在本发明的保护范围之内。 9 9 CN 112993072 A 说明书附图 1/5页 图1 图2 10 10 CN 112993072 A 说明书附图 2/5页 图3 图4 11 11 CN 112993072 A 说明书附图 3/5页 图5 图6 12 12 CN 112993072 A 说明书附图 4/5页 图7 图8 图9 13 13 CN 112993072 A 说明书附图 5/5页 图10 14 14

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