(2)将制绒后的单晶硅片置入扩散设备中进行扩散制结，形成pn结层，并在单晶硅片pn结层表面进行激光推进；

　　(3)将激光推进后的单晶硅片进行刻蚀清洗，去除边缘的磷硅玻璃，并将单晶硅片背面进行抛光，去除背面的pn结层；

　　(8)在激光开槽后的单晶硅片正面印刷银浆，经过高温烧结，制得perc电池片。

　　2.根据权利要求1所述一种perc电池片的制备方法，其特征在于，步骤(6)中，所述背面镀膜具体步骤为：

　　1)将正面镀膜后的单晶硅片放置在管式炉中，通入氮气，对管式炉内进行稳压和保温；

　　3.根据权利要求2所述一种适用于perc电池的背面镀膜方法，g22恒峰官网其特征在于，步骤1)中，所述氮气通入流量为2000-5000sccm，控制管式炉内压力为1400-2000mtorr。

　　4.根据权利要求2所述一种适用于perc电池的背面镀膜方法，其特征在于，步骤1)中，所述保温温度为500-550℃，保温时间为200-600s。

　　5.根据权利要求2所述一种适用于perc电池的背面镀膜方法，其特征在于，步骤2)中，所述氨气通入流量为2000-5000sccm，控制管式炉内压力为1000-2000mtorr。

　　6.根据权利要求2所述一种适用于perc电池的背面镀膜方法，其特征在于，步骤2)中，所述预沉积温度为500-550℃，预沉积时间为20-100s。

　　7.根据权利要求2所述一种适用于perc电池的背面镀膜方法，其特征在于，步骤3)中，所述通入硅烷和氨气的体积比为1:5-10，控制管式炉内压力为1500-2500mtorr。

　　8.根据权利要求2所述一种适用于perc电池的背面镀膜方法，其特征在于，g22恒峰官网步骤3)中，所述沉积温度为500-550℃，沉积时间为600-1200s。

　　9.根据权利要求2所述一种适用于perc电池的背面镀膜方法，其特征在于，步骤(6)中，所述背面镀膜形成氮化硅层的厚度为75-200nm，折射率为1.9-2.5。

　　本发明公开了一种PERC电池片的制备方法，包括以下步骤：(1)清洗、制绒；(2)扩散和激光推进；(3)刻蚀抛光和去磷硅玻璃；(4)对抛光后的单晶硅片背面进行Al2O3原子沉积；(5)将背钝化后的单晶硅片进行正面镀膜；(6)将正面镀膜后的单晶硅片进行背面镀膜；(7)将背面镀膜后的单晶硅片进行激光开槽；(8)丝网印刷、烧结，制得PERC电池片。本发明PERC电池片的制备方法简单，可以减少硅片晶格缺陷，提升少子寿命，使得硅片背表面的钝化效果更好，进而提升电池片转换效率。